IPD50P04P4-13 , P沟道 MOSFET 晶体管, 50 A, Vds=-40 V, 3针 TO-252封装
- RS 库存编号:
- 826-9109P
- 制造商零件编号:
- IPD50P04P4-13
- 制造商:
- Infineon
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小计 125 件 (按连续条带形式提供)*
RMB486.25
(不含税)
RMB550.00
(含税)
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 125 - 600 | RMB3.89 |
| 625 - 1475 | RMB3.71 |
| 1500 - 3100 | RMB2.92 |
| 3125 + | RMB2.48 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 826-9109P
- 制造商零件编号:
- IPD50P04P4-13
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 50 A | |
| 最大漏源电压 | 40 V | |
| 最大漏源电阻值 | 12.6 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 2.2V | |
| 最小栅阈值电压 | 1.2V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | DPAK (TO-252) | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 58 W | |
| 长度 | 6.5mm | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 系列 | OptiMOS P | |
| 高度 | 2.3mm | |
| 典型关断延迟时间 | 22 ns | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 6.22mm | |
| 典型输入电容值@Vds | 2820 pF @ -25 V | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 10 V 时，39 常闭 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型接通延迟时间 | 17 ns | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 尺寸 | 6.5 x 6.22 x 2.3mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 50 A | ||
最大漏源电压 40 V | ||
最大漏源电阻值 12.6 mΩ | ||
最大栅阈值电压 2.2V | ||
最小栅阈值电压 1.2V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 DPAK (TO-252) | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 58 W | ||
长度 6.5mm | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
系列 OptiMOS P | ||
高度 2.3mm | ||
典型关断延迟时间 22 ns | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 6.22mm | ||
典型输入电容值@Vds 2820 pF @ -25 V | ||
典型栅极电荷@Vgs 10 V 时，39 常闭 | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型接通延迟时间 17 ns | ||
晶体管材料 Si | ||
尺寸 6.5 x 6.22 x 2.3mm | ||
不适用