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小计 625 件 (以卷装提供)*
RMB2,523.75
(不含税)
RMB2,851.875
(含税)
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 625 - 1225 | RMB4.038 |
| 1250 - 2475 | RMB3.182 |
| 2500 - 4975 | RMB3.025 |
| 5000 + | RMB2.966 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 826-9207P
- 制造商零件编号:
- BSO612CVG
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N，P | |
| 最大连续漏极电流 | 2 A、3 A | |
| 最大漏源电压 | 60 V | |
| 最大漏源电阻值 | 120 mΩ，300 mΩ | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | DSO | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 小信号 | |
| 最大功率耗散 | 2 W | |
| 尺寸 | 5 x 4 x 1.45mm | |
| 长度 | 5mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 系列 | SIPMOS | |
| 高度 | 1.45mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型接通延迟时间 | 12 ns、15 ns | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 4mm | |
| 典型关断延迟时间 | 25 ns, 145 ns | |
| 典型输入电容值@Vds | 275 pF@ 25 V, 320 pF@ 25 V | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 10.3 nC @ 10 V，10.5 nC @ 10 V | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N，P | ||
最大连续漏极电流 2 A、3 A | ||
最大漏源电压 60 V | ||
最大漏源电阻值 120 mΩ，300 mΩ | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 DSO | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 8 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 小信号 | ||
最大功率耗散 2 W | ||
尺寸 5 x 4 x 1.45mm | ||
长度 5mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
系列 SIPMOS | ||
高度 1.45mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型接通延迟时间 12 ns、15 ns | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 4mm | ||
典型关断延迟时间 25 ns, 145 ns | ||
典型输入电容值@Vds 275 pF@ 25 V, 320 pF@ 25 V | ||
典型栅极电荷@Vgs 10.3 nC @ 10 V，10.5 nC @ 10 V | ||
晶体管材料 Si | ||