BSO615CG , N/P沟道 MOSFET 晶体管, 8针 DSO封装

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RS 库存编号:
826-9216P
制造商零件编号:
BSO615CG
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

通道类型

N,P

最大连续漏极电流

2 A,3.1 A

最大漏源电压

60 V

最大漏源电阻值

150 mΩ,450 mΩ

最大栅源电压

-20 V、+20 V

封装类型

DSO

安装类型

表面贴装

引脚数目

8

晶体管配置

通道模式

增强

类别

小信号

最大功率耗散

2 W

典型接通延迟时间

16 ns、40 ns

最低工作温度

-55 °C

典型栅极电荷@Vgs

13.5 nC @ 10 V,15 nC @ 10 V

典型输入电容值@Vds

380 pF@ 25 V, 460 pF@ 25 V

典型关断延迟时间

25 ns, 125 ns

宽度

4mm

每片芯片元件数目

1

高度

1.45mm

系列

SIPMOS

最高工作温度

+150 °C

长度

5mm

晶体管材料

Si

尺寸

5 x 4 x 1.45mm