BF2040E6814 , N沟道 MOSFET 晶体管, 0.04 A, Vds=8 V, 4针 SOT-143封装
- RS 库存编号:
- 826-9263
- 制造商零件编号:
- BF2040E6814
- 制造商:
- Infineon
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小计（1 包，共 100 件）*
RMB106.60
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 100 - 400 | RMB1.066 | RMB106.60 |
| 500 - 900 | RMB1.045 | RMB104.50 |
| 1000 - 1400 | RMB0.824 | RMB82.40 |
| 1500 - 2900 | RMB0.808 | RMB80.80 |
| 3000 + | RMB0.618 | RMB61.80 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 826-9263
- 制造商零件编号:
- BF2040E6814
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 40 mA | |
| 最大漏源电压 | 8 V | |
| 最大栅阈值电压 | 0.7V | |
| 最小栅阈值电压 | 0.3V | |
| 封装类型 | SOT-143 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | MOSFET Tetrode | |
| 最大功率耗散 | 200 mW | |
| 宽度 | 1.3mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 高度 | 0.9mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 典型功率增益 | 23 dB | |
| 尺寸 | 2.9 x 1.3 x 0.9mm | |
| 典型输入电容值@Vds | 2.9 pF @ 5V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 长度 | 2.9mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 40 mA | ||
最大漏源电压 8 V | ||
最大栅阈值电压 0.7V | ||
最小栅阈值电压 0.3V | ||
封装类型 SOT-143 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 4 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 MOSFET Tetrode | ||
最大功率耗散 200 mW | ||
宽度 1.3mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
高度 0.9mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
典型功率增益 23 dB | ||
尺寸 2.9 x 1.3 x 0.9mm | ||
典型输入电容值@Vds 2.9 pF @ 5V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
晶体管材料 Si | ||
长度 2.9mm | ||