BSS84PH6433XTMA1 , P沟道 MOSFET 晶体管, 0.17 A, Vds=-60 V, 3针 SOT-23封装
- RS 库存编号:
- 826-9266
- 制造商零件编号:
- BSS84PH6433XTMA1
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计（1 卷，共 500 件）*
RMB175.50
(不含税)
RMB198.50
(含税)
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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 500 - 500 | RMB0.351 | RMB175.50 |
| 1000 - 2000 | RMB0.317 | RMB158.50 |
| 2500 - 4500 | RMB0.26 | RMB130.00 |
| 5000 - 9500 | RMB0.249 | RMB124.50 |
| 10000 + | RMB0.215 | RMB107.50 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 826-9266
- 制造商零件编号:
- BSS84PH6433XTMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 170 mA | |
| 最大漏源电压 | 60 V | |
| 最大漏源电阻值 | 8 Ω | |
| 最大栅阈值电压 | 2V | |
| 最小栅阈值电压 | 1V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | SOT-23 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 小信号 | |
| 最大功率耗散 | 360 mW | |
| 典型输入电容值@Vds | 15 pF @ -25 V | |
| 典型关断延迟时间 | 8.6 ns | |
| 宽度 | 1.3mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 1 nC @ 10 V | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 系列 | SIPMOS | |
| 高度 | 1mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 尺寸 | 2.9 x 1.3 x 1mm | |
| 长度 | 2.9mm | |
| 典型接通延迟时间 | 6.7 ns | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 170 mA | ||
最大漏源电压 60 V | ||
最大漏源电阻值 8 Ω | ||
最大栅阈值电压 2V | ||
最小栅阈值电压 1V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 SOT-23 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 小信号 | ||
最大功率耗散 360 mW | ||
典型输入电容值@Vds 15 pF @ -25 V | ||
典型关断延迟时间 8.6 ns | ||
宽度 1.3mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
典型栅极电荷@Vgs 1 nC @ 10 V | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
系列 SIPMOS | ||
高度 1mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
晶体管材料 Si | ||
尺寸 2.9 x 1.3 x 1mm | ||
长度 2.9mm | ||
典型接通延迟时间 6.7 ns | ||