BSP322PH6327XTSA1 , P沟道 MOSFET 晶体管, 1 A, Vds=-100 V, 4针 SOT-223封装
- RS 库存编号:
- 826-9279
- 制造商零件编号:
- BSP322PH6327XTSA1
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计（1 包，共 50 件）*
RMB197.80
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RMB223.50
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 50 - 200 | RMB3.956 | RMB197.80 |
| 250 - 450 | RMB3.31 | RMB165.50 |
| 500 - 700 | RMB2.80 | RMB140.00 |
| 750 - 950 | RMB2.787 | RMB139.35 |
| 1000 + | RMB2.23 | RMB111.50 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 826-9279
- 制造商零件编号:
- BSP322PH6327XTSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | P | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 1 | |
| 最大漏源电压 Vd | 100 | |
| 包装类型 | SOT-223 | |
| 系列 | SIPMOS | |
| 安装类型 | 表面安装 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 | |
| 最大功耗 Pd | 1.8 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 12.4 | |
| 正向电压 Vf | 0.84 | |
| 最高工作温度 | 150 | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 3.5 | |
| 高度 | 1.6 | |
| 长度 | 6.5 | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 P | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 1 | ||
最大漏源电压 Vd 100 | ||
包装类型 SOT-223 | ||
系列 SIPMOS | ||
安装类型 表面安装 | ||
引脚数目 4 | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55 | ||
最大栅源电压 Vgs 20 | ||
最大功耗 Pd 1.8 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 12.4 | ||
正向电压 Vf 0.84 | ||
最高工作温度 150 | ||
标准/认证 No | ||
宽度 3.5 | ||
高度 1.6 | ||
长度 6.5 | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||