Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 280 mA, SC-70, 表面安装, 3引脚, BSS138WH6433XTMA1, SIPMOS系列
- RS 库存编号:
- 826-9282
- 制造商零件编号:
- BSS138WH6433XTMA1
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计（1 卷，共 500 件）*
RMB247.50
(不含税)
RMB279.50
(含税)
库存信息目前无法访问 - 请稍候查看
单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 500 - 500 | RMB0.495 | RMB247.50 |
| 1000 - 2000 | RMB0.333 | RMB166.50 |
| 2500 - 4500 | RMB0.266 | RMB133.00 |
| 5000 - 9500 | RMB0.261 | RMB130.50 |
| 10000 + | RMB0.216 | RMB108.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 826-9282
- 制造商零件编号:
- BSS138WH6433XTMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 280mA | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 系列 | SIPMOS | |
| 包装类型 | SC-70 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 3.5Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 1nC | |
| 最大功耗 Pd | 500mW | |
| 正向电压 Vf | 0.85V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 2mm | |
| 高度 | 0.8mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 280mA | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
系列 SIPMOS | ||
包装类型 SC-70 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 3.5Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 1nC | ||
最大功耗 Pd 500mW | ||
正向电压 Vf 0.85V | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 2mm | ||
高度 0.8mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
Infineon SIPMOS® N 通道 MOSFET
MOSFET 晶体管，Infineon
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。