BSR202NL6327 , N沟道 MOSFET 晶体管, 3.8 A, Vds=20 V, 3针 SC-59封装
- RS 库存编号:
- 826-9386P
- 制造商零件编号:
- BSR202NL6327
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计 500 件 (以卷装提供)*
RMB810.00
(不含税)
RMB915.00
(含税)
库存信息目前无法访问 - 请稍候查看
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 500 - 900 | RMB1.62 |
| 1000 - 1400 | RMB1.285 |
| 1500 - 2900 | RMB1.26 |
| 3000 + | RMB0.96 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 826-9386P
- 制造商零件编号:
- BSR202NL6327
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 3.8 A | |
| 最大漏源电压 | 20 V | |
| 最大漏源电阻值 | 33 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 1.2V | |
| 最小栅阈值电压 | 0.7V | |
| 最大栅源电压 | -12 V、+12 V | |
| 封装类型 | SOT-346 (SC-59) | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 小信号 | |
| 最大功率耗散 | 500 mW | |
| 高度 | 1.1mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型关断延迟时间 | 19 ns | |
| 典型输入电容值@Vds | 863 pF @ 10 V | |
| 典型接通延迟时间 | 8.8 ns | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 尺寸 | 3 x 1.6 x 1.1mm | |
| 长度 | 3mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 系列 | OptiMOS 2 | |
| 宽度 | 1.6mm | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 5.8 nC @ 4.5 V | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 3.8 A | ||
最大漏源电压 20 V | ||
最大漏源电阻值 33 mΩ | ||
最大栅阈值电压 1.2V | ||
最小栅阈值电压 0.7V | ||
最大栅源电压 -12 V、+12 V | ||
封装类型 SOT-346 (SC-59) | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 小信号 | ||
最大功率耗散 500 mW | ||
高度 1.1mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型关断延迟时间 19 ns | ||
典型输入电容值@Vds 863 pF @ 10 V | ||
典型接通延迟时间 8.8 ns | ||
晶体管材料 Si | ||
尺寸 3 x 1.6 x 1.1mm | ||
长度 3mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
系列 OptiMOS 2 | ||
宽度 1.6mm | ||
典型栅极电荷@Vgs 5.8 nC @ 4.5 V | ||
最高工作温度 +150 °C | ||