BSR315PL6327 , P沟道 MOSFET 晶体管, 0.62 A, Vds=-60 V, 3针 SC-59封装
- RS 库存编号:
- 826-9395
- 制造商零件编号:
- BSR315PL6327
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计（1 包，共 100 件）*
RMB191.00
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RMB216.00
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 100 - 400 | RMB1.91 | RMB191.00 |
| 500 - 900 | RMB1.65 | RMB165.00 |
| 1000 - 1400 | RMB1.306 | RMB130.60 |
| 1500 - 2900 | RMB1.28 | RMB128.00 |
| 3000 + | RMB0.98 | RMB98.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 826-9395
- 制造商零件编号:
- BSR315PL6327
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 620 mA | |
| 最大漏源电压 | 60 V | |
| 最大漏源电阻值 | 800 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 1V | |
| 最小栅阈值电压 | 2V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | SC-59 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 小信号 | |
| 最大功率耗散 | 500 mW | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 4 nC @ 10 V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型输入电容值@Vds | 132 pF@ -25 V | |
| 尺寸 | 3 x 1.6 x 1.1mm | |
| 长度 | 3mm | |
| 典型关断延迟时间 | 21 ns | |
| 宽度 | 1.6mm | |
| 典型接通延迟时间 | 8 ns | |
| 高度 | 1.1mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 620 mA | ||
最大漏源电压 60 V | ||
最大漏源电阻值 800 mΩ | ||
最大栅阈值电压 1V | ||
最小栅阈值电压 2V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 SC-59 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 小信号 | ||
最大功率耗散 500 mW | ||
典型栅极电荷@Vgs 4 nC @ 10 V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型输入电容值@Vds 132 pF@ -25 V | ||
尺寸 3 x 1.6 x 1.1mm | ||
长度 3mm | ||
典型关断延迟时间 21 ns | ||
宽度 1.6mm | ||
典型接通延迟时间 8 ns | ||
高度 1.1mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
每片芯片元件数目 1 | ||