BSP298H6327XUSA1 , N沟道 MOSFET 晶体管, 0.5 A, Vds=400 V, 4针 SOT-223封装
- RS 库存编号:
- 826-9406
- 制造商零件编号:
- BSP298H6327XUSA1
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计（1 包，共 25 件）*
RMB149.375
(不含税)
RMB168.80
(含税)
库存信息目前无法访问 - 请稍候查看
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 25 - 75 | RMB5.975 | RMB149.38 |
| 100 - 225 | RMB4.712 | RMB117.80 |
| 250 - 475 | RMB4.62 | RMB115.50 |
| 500 - 975 | RMB4.215 | RMB105.38 |
| 1000 + | RMB3.47 | RMB86.75 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 826-9406
- 制造商零件编号:
- BSP298H6327XUSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 500 mA | |
| 最大漏源电压 | 400 V | |
| 最大漏源电阻值 | 3 Ω | |
| 最大栅阈值电压 | 4V | |
| 最小栅阈值电压 | 2.1V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | SOT-223 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 3+Tab | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 小信号 | |
| 最大功率耗散 | 1.8 W | |
| 尺寸 | 6.5 x 3.5 x 1.6mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型接通延迟时间 | 10 ns | |
| 长度 | 6.5mm | |
| 宽度 | 3.5mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 典型关断延迟时间 | 30 ns | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 系列 | SIPMOS | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 高度 | 1.6mm | |
| 典型输入电容值@Vds | 300 pF @ 25 V | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 500 mA | ||
最大漏源电压 400 V | ||
最大漏源电阻值 3 Ω | ||
最大栅阈值电压 4V | ||
最小栅阈值电压 2.1V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 SOT-223 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 3+Tab | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 小信号 | ||
最大功率耗散 1.8 W | ||
尺寸 6.5 x 3.5 x 1.6mm | ||
晶体管材料 Si | ||
典型接通延迟时间 10 ns | ||
长度 6.5mm | ||
宽度 3.5mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
典型关断延迟时间 30 ns | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
系列 SIPMOS | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
高度 1.6mm | ||
典型输入电容值@Vds 300 pF @ 25 V | ||