BF999E6327 , N沟道 MOSFET 晶体管, 1.4 A, Vds=30 V, 3针 SOT-23封装
- RS 库存编号:
- 826-9430P
- 制造商零件编号:
- BF999E6327
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 500 - 900 | RMB1.58 |
| 1000 - 1400 | RMB1.204 |
| 1500 - 2900 | RMB1.18 |
| 3000 + | RMB1.01 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 826-9430P
- 制造商零件编号:
- BF999E6327
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 1.4 A | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 最大栅阈值电压 | 1.5V | |
| 最小栅阈值电压 | 0.8V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | SOT-23 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | MOSFET Tetrode | |
| 最大功率耗散 | 200 mW | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 高度 | 0.9mm | |
| 尺寸 | 2.9 x 1.3 x 0.9mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 1.3mm | |
| 典型功率增益 | 27 dB | |
| 典型输入电容值@Vds | 2.5 pF @ 10 V | |
| 长度 | 2.9mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 1.4 A | ||
最大漏源电压 30 V | ||
最大栅阈值电压 1.5V | ||
最小栅阈值电压 0.8V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 SOT-23 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 MOSFET Tetrode | ||
最大功率耗散 200 mW | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
高度 0.9mm | ||
尺寸 2.9 x 1.3 x 0.9mm | ||
晶体管材料 Si | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 1.3mm | ||
典型功率增益 27 dB | ||
典型输入电容值@Vds 2.5 pF @ 10 V | ||
长度 2.9mm | ||