BSP129H6906XTSA1 , N沟道 MOSFET 晶体管, 0.005 A, Vds=240 V, 4针 SOT-223封装
- RS 库存编号:
- 826-9434
- 制造商零件编号:
- BSP129H6906XTSA1
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计（1 包，共 25 件）*
RMB135.75
(不含税)
RMB153.50
(含税)
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 25 - 75 | RMB5.43 | RMB135.75 |
| 100 - 225 | RMB4.254 | RMB106.35 |
| 250 - 475 | RMB4.17 | RMB104.25 |
| 500 - 975 | RMB3.68 | RMB92.00 |
| 1000 + | RMB2.987 | RMB74.68 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 826-9434
- 制造商零件编号:
- BSP129H6906XTSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 280 mA | |
| 最大漏源电压 | 240 V | |
| 最大漏源电阻值 | 6 Ω | |
| 最大栅阈值电压 | 1V | |
| 最小栅阈值电压 | 2.1V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | SOT-223 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 3+Tab | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 消耗 | |
| 类别 | 小信号 | |
| 最大功率耗散 | 1.8 W | |
| 宽度 | 3.5mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 系列 | SIPMOS | |
| 长度 | 6.5mm | |
| 尺寸 | 6.5 x 3.5 x 1.6mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型接通延迟时间 | 4.4 ns | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 3.8 nC @ 5 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 82 pF @ 25 V | |
| 典型关断延迟时间 | 22 ns | |
| 高度 | 1.6mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 280 mA | ||
最大漏源电压 240 V | ||
最大漏源电阻值 6 Ω | ||
最大栅阈值电压 1V | ||
最小栅阈值电压 2.1V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 SOT-223 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 3+Tab | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 消耗 | ||
类别 小信号 | ||
最大功率耗散 1.8 W | ||
宽度 3.5mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
系列 SIPMOS | ||
长度 6.5mm | ||
尺寸 6.5 x 3.5 x 1.6mm | ||
晶体管材料 Si | ||
典型接通延迟时间 4.4 ns | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 3.8 nC @ 5 V | ||
典型输入电容值@Vds 82 pF @ 25 V | ||
典型关断延迟时间 22 ns | ||
高度 1.6mm | ||