IPB80P04P407ATMA1 , P沟道 MOSFET 晶体管, 80 A, Vds=-40 V, 3针 TO-263封装
- RS 库存编号:
- 826-9487
- 制造商零件编号:
- IPB80P04P407ATMA1
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计（1 包，共 25 件）*
RMB157.60
(不含税)
RMB178.10
(含税)
库存信息目前无法访问 - 请稍候查看
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 25 - 75 | RMB6.304 | RMB157.60 |
| 100 - 225 | RMB5.584 | RMB139.60 |
| 250 - 475 | RMB5.432 | RMB135.80 |
| 500 - 975 | RMB5.29 | RMB132.25 |
| 1000 + | RMB4.16 | RMB104.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 826-9487
- 制造商零件编号:
- IPB80P04P407ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 Id | 80 | |
| 最大漏源电压 Vd | 40 | |
| 包装类型 | D2PAK | |
| 系列 | OptiMOS P | |
| 安装类型 | 表面安装 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 | |
| 最大功耗 Pd | 88 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 68 | |
| 正向电压 Vf | -1 | |
| 最高工作温度 | 175 | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 10 | |
| 宽度 | 9.25 | |
| 高度 | 4.4 | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 P | ||
最大连续漏极电流 Id 80 | ||
最大漏源电压 Vd 40 | ||
包装类型 D2PAK | ||
系列 OptiMOS P | ||
安装类型 表面安装 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55 | ||
最大栅源电压 Vgs 20 | ||
最大功耗 Pd 88 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 68 | ||
正向电压 Vf -1 | ||
最高工作温度 175 | ||
标准/认证 No | ||
长度 10 | ||
宽度 9.25 | ||
高度 4.4 | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
不适用