IPD30N03S4L-09 , N沟道 MOSFET 晶体管, 30 A, Vds=30 V, 3针 TO-252封装
- RS 库存编号:
- 826-9522
- 制造商零件编号:
- IPD30N03S4L-09
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计（1 包，共 50 件）*
RMB176.20
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RMB199.10
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 50 - 450 | RMB3.524 | RMB176.20 |
| 500 - 950 | RMB2.44 | RMB122.00 |
| 1000 - 1200 | RMB1.979 | RMB98.95 |
| 1250 - 2450 | RMB1.94 | RMB97.00 |
| 2500 + | RMB1.61 | RMB80.50 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 826-9522
- 制造商零件编号:
- IPD30N03S4L-09
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 30 A | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 最大漏源电阻值 | 13.5 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 2.2V | |
| 最小栅阈值电压 | 1V | |
| 最大栅源电压 | -16 V、+16 V | |
| 封装类型 | DPAK (TO-252) | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 42 W | |
| 宽度 | 6.22mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 典型接通延迟时间 | 3 ns | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 15 nC @ 10 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 1170 pF @ 15 V | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型关断延迟时间 | 12 ns | |
| 系列 | OptiMOS T2 | |
| 高度 | 2.3mm | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 尺寸 | 6.5 x 6.22 x 2.3mm | |
| 长度 | 6.5mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 30 A | ||
最大漏源电压 30 V | ||
最大漏源电阻值 13.5 mΩ | ||
最大栅阈值电压 2.2V | ||
最小栅阈值电压 1V | ||
最大栅源电压 -16 V、+16 V | ||
封装类型 DPAK (TO-252) | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 42 W | ||
宽度 6.22mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
典型接通延迟时间 3 ns | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 15 nC @ 10 V | ||
典型输入电容值@Vds 1170 pF @ 15 V | ||
晶体管材料 Si | ||
典型关断延迟时间 12 ns | ||
系列 OptiMOS T2 | ||
高度 2.3mm | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
尺寸 6.5 x 6.22 x 2.3mm | ||
长度 6.5mm | ||
不适用