IPB081N06L3G , N沟道 MOSFET 晶体管, 50 A, Vds=60 V, 3针 TO-263封装
- RS 库存编号:
- 826-9525
- 制造商零件编号:
- IPB081N06L3G
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计（1 包，共 25 件）*
RMB200.75
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RMB226.75
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 25 - 75 | RMB8.03 | RMB200.75 |
| 100 - 225 | RMB5.998 | RMB149.95 |
| 250 - 475 | RMB5.88 | RMB147.00 |
| 500 - 975 | RMB5.61 | RMB140.25 |
| 1000 + | RMB4.40 | RMB110.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 826-9525
- 制造商零件编号:
- IPB081N06L3G
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 Id | 50 | |
| 最大漏源电压 Vd | 60 | |
| 系列 | OptiMOS 3 | |
| 包装类型 | D2PAK | |
| 安装类型 | 表面安装 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 22 | |
| 最大功耗 Pd | 79 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 | |
| 正向电压 Vf | 1 | |
| 最高工作温度 | 175 | |
| 长度 | 10.31 | |
| 宽度 | 9.45 | |
| 高度 | 4.57 | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N | ||
最大连续漏极电流 Id 50 | ||
最大漏源电压 Vd 60 | ||
系列 OptiMOS 3 | ||
包装类型 D2PAK | ||
安装类型 表面安装 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 22 | ||
最大功耗 Pd 79 | ||
最大栅源电压 Vgs 20 | ||
正向电压 Vf 1 | ||
最高工作温度 175 | ||
长度 10.31 | ||
宽度 9.45 | ||
高度 4.57 | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
不适用