BSS138WH6327XTSA1 , N沟道 MOSFET 晶体管, 0.28 A, Vds=60 V, 3针 SOT-323封装
- RS 库存编号:
- 826-9989
- 制造商零件编号:
- BSS138WH6327XTSA1
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计（1 卷，共 500 件）*
RMB218.00
(不含税)
RMB246.50
(含税)
库存信息目前无法访问 - 请稍候查看
单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 500 - 1000 | RMB0.436 | RMB218.00 |
| 1500 - 2500 | RMB0.37 | RMB185.00 |
| 3000 - 5500 | RMB0.29 | RMB145.00 |
| 6000 + | RMB0.274 | RMB137.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 826-9989
- 制造商零件编号:
- BSS138WH6327XTSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 280 mA | |
| 最大漏源电压 | 60 V | |
| 最大漏源电阻值 | 6 Ω | |
| 最大栅阈值电压 | 1.4V | |
| 最小栅阈值电压 | 0.6V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | SOT-323 (SC-70) | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 小信号 | |
| 最大功率耗散 | 500 mW | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 尺寸 | 2 x 1.25 x 0.8mm | |
| 高度 | 0.8mm | |
| 系列 | SIPMOS | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 2mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 宽度 | 1.25mm | |
| 典型关断延迟时间 | 6.7 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 2.2 ns | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 1 nC @ 10 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 32 pF @ 25 V | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 280 mA | ||
最大漏源电压 60 V | ||
最大漏源电阻值 6 Ω | ||
最大栅阈值电压 1.4V | ||
最小栅阈值电压 0.6V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 SOT-323 (SC-70) | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 小信号 | ||
最大功率耗散 500 mW | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
尺寸 2 x 1.25 x 0.8mm | ||
高度 0.8mm | ||
系列 SIPMOS | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 2mm | ||
晶体管材料 Si | ||
宽度 1.25mm | ||
典型关断延迟时间 6.7 ns | ||
典型接通延迟时间 2.2 ns | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 1 nC @ 10 V | ||
典型输入电容值@Vds 32 pF @ 25 V | ||
Infineon SIPMOS® N 通道 MOSFET
MOSFET 晶体管，Infineon
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。