BSS209PWH6327XTSA1 , P沟道 MOSFET 晶体管, 0.5 A, Vds=-20 V, 3针 SOT-323封装
- RS 库存编号:
- 827-0018
- 制造商零件编号:
- BSS209PWH6327XTSA1
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计（1 卷，共 250 件）*
RMB136.00
(不含税)
RMB153.75
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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 250 - 750 | RMB0.544 | RMB136.00 |
| 1000 - 2750 | RMB0.465 | RMB116.25 |
| 3000 - 5750 | RMB0.35 | RMB87.50 |
| 6000 + | RMB0.34 | RMB85.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 827-0018
- 制造商零件编号:
- BSS209PWH6327XTSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 500 mA | |
| 最大漏源电压 | 20 V | |
| 最大漏源电阻值 | 900 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 1.2V | |
| 最小栅阈值电压 | 0.6V | |
| 最大栅源电压 | -12 V、+12 V | |
| 封装类型 | SOT-323 (SC-70) | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 小信号 | |
| 最大功率耗散 | 300 mW | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 尺寸 | 2 x 1.25 x 0.8mm | |
| 长度 | 2mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 系列 | OptiMOS P | |
| 高度 | 0.8mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 1.25mm | |
| 典型关断延迟时间 | 6 ns | |
| 典型输入电容值@Vds | 87 pF @ -15 V | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 1 nC @ 4.5 V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型接通延迟时间 | 2.6 ns | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 500 mA | ||
最大漏源电压 20 V | ||
最大漏源电阻值 900 mΩ | ||
最大栅阈值电压 1.2V | ||
最小栅阈值电压 0.6V | ||
最大栅源电压 -12 V、+12 V | ||
封装类型 SOT-323 (SC-70) | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 小信号 | ||
最大功率耗散 300 mW | ||
晶体管材料 Si | ||
尺寸 2 x 1.25 x 0.8mm | ||
长度 2mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
系列 OptiMOS P | ||
高度 0.8mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 1.25mm | ||
典型关断延迟时间 6 ns | ||
典型输入电容值@Vds 87 pF @ -15 V | ||
典型栅极电荷@Vgs 1 nC @ 4.5 V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型接通延迟时间 2.6 ns | ||