BSS670S2LH6327XT , N沟道 MOSFET 晶体管, 0.54 A, Vds=55 V, 3针 SOT-23封装
- RS 库存编号:
- 827-0027
- 制造商零件编号:
- BSS670S2LH6327XT
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计（1 卷，共 250 件）*
RMB124.75
(不含税)
RMB141.00
(含税)
库存信息目前无法访问 - 请稍候查看
单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 250 - 750 | RMB0.499 | RMB124.75 |
| 1000 - 2750 | RMB0.442 | RMB110.50 |
| 3000 - 5750 | RMB0.35 | RMB87.50 |
| 6000 + | RMB0.317 | RMB79.25 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 827-0027
- 制造商零件编号:
- BSS670S2LH6327XT
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 Id | 540 | |
| 最大漏源电压 Vd | 55 | |
| 包装类型 | SOT-23 | |
| 系列 | OptiMOS | |
| 安装类型 | 表面安装 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 | |
| 最大功耗 Pd | 360 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 1.7 | |
| 最低工作温度 | -55 | |
| 正向电压 Vf | 0.8 | |
| 最高工作温度 | 150 | |
| 长度 | 2.9 | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 1.3 | |
| 高度 | 1 | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N | ||
最大连续漏极电流 Id 540 | ||
最大漏源电压 Vd 55 | ||
包装类型 SOT-23 | ||
系列 OptiMOS | ||
安装类型 表面安装 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 20 | ||
最大功耗 Pd 360 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 1.7 | ||
最低工作温度 -55 | ||
正向电压 Vf 0.8 | ||
最高工作温度 150 | ||
长度 2.9 | ||
标准/认证 No | ||
宽度 1.3 | ||
高度 1 | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||