BSS87H6327FTSA1 , N沟道 MOSFET 晶体管, 0.26 A, Vds=240 V, 3针 SOT-89封装
- RS 库存编号:
- 827-0074
- 制造商零件编号:
- BSS87H6327FTSA1
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计（1 包，共 100 件）*
RMB188.40
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RMB212.90
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 100 - 100 | RMB1.884 | RMB188.40 |
| 200 - 400 | RMB1.67 | RMB167.00 |
| 500 - 900 | RMB1.499 | RMB149.90 |
| 1000 - 1900 | RMB1.26 | RMB126.00 |
| 2000 + | RMB0.96 | RMB96.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 827-0074
- 制造商零件编号:
- BSS87H6327FTSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 260 mA | |
| 最大漏源电压 | 240 V | |
| 最大漏源电阻值 | 7.5 Ω | |
| 最大栅阈值电压 | 1.8V | |
| 最小栅阈值电压 | 0.8V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | SOT-89 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 小信号 | |
| 最大功率耗散 | 1 W | |
| 高度 | 1.5mm | |
| 系列 | SIPMOS | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 宽度 | 2.5mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 长度 | 4.5mm | |
| 尺寸 | 4.5 x 2.5 x 1.5mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型接通延迟时间 | 3.7 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 3.7 nC @ 10 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 77.5 pF @ 25 V | |
| 典型关断延迟时间 | 17.6 ns | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 260 mA | ||
最大漏源电压 240 V | ||
最大漏源电阻值 7.5 Ω | ||
最大栅阈值电压 1.8V | ||
最小栅阈值电压 0.8V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 SOT-89 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 小信号 | ||
最大功率耗散 1 W | ||
高度 1.5mm | ||
系列 SIPMOS | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
宽度 2.5mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
长度 4.5mm | ||
尺寸 4.5 x 2.5 x 1.5mm | ||
晶体管材料 Si | ||
典型接通延迟时间 3.7 ns | ||
典型栅极电荷@Vgs 3.7 nC @ 10 V | ||
典型输入电容值@Vds 77.5 pF @ 25 V | ||
典型关断延迟时间 17.6 ns | ||