DMN10H170SFG-7 , N沟道 MOSFET 晶体管, 8.5 A, Vds=100 V, 8针 POWERDI3333-8封装
- RS 库存编号:
- 827-0468
- 制造商零件编号:
- DMN10H170SFG-7
- 制造商:
- DiodesZetex
可享批量折扣
小计（1 包，共 20 件）*
RMB70.02
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RMB79.12
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | RMB3.501 | RMB70.02 |
| 100 - 180 | RMB2.628 | RMB52.56 |
| 200 - 480 | RMB2.623 | RMB52.46 |
| 500 - 980 | RMB1.926 | RMB38.52 |
| 1000 + | RMB1.485 | RMB29.70 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 827-0468
- 制造商零件编号:
- DMN10H170SFG-7
- 制造商:
- DiodesZetex
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | DiodesZetex | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 8.5 A | |
| 最大漏源电压 | 100 V | |
| 最大漏源电阻值 | 133 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 3V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | POWERDI3333 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 2 W | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 3.35mm | |
| 尺寸 | 3.35 x 3.35 x 0.85mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型接通延迟时间 | 4.4 ns | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 14.9 nC @ 10 V | |
| 长度 | 3.35mm | |
| 典型关断延迟时间 | 13.9 ns | |
| 高度 | 0.85mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 典型输入电容值@Vds | 870 pF@ 25 V | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 DiodesZetex | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 8.5 A | ||
最大漏源电压 100 V | ||
最大漏源电阻值 133 mΩ | ||
最大栅阈值电压 3V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 POWERDI3333 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 8 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 2 W | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 3.35mm | ||
尺寸 3.35 x 3.35 x 0.85mm | ||
晶体管材料 Si | ||
典型接通延迟时间 4.4 ns | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 14.9 nC @ 10 V | ||
长度 3.35mm | ||
典型关断延迟时间 13.9 ns | ||
高度 0.85mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
典型输入电容值@Vds 870 pF@ 25 V | ||