DMN6070SSD-13, 双 N沟道 MOSFET 晶体管, 4.1 A, Vds=60 V, 8针 SOIC-8封装
- RS 库存编号:
- 827-0493
- 制造商零件编号:
- DMN6070SSD-13
- 制造商:
- DiodesZetex
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小计（1 包，共 20 件）*
RMB54.16
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | RMB2.708 | RMB54.16 |
| 100 - 180 | RMB1.715 | RMB34.30 |
| 200 - 480 | RMB1.71 | RMB34.20 |
| 500 - 980 | RMB1.705 | RMB34.10 |
| 1000 + | RMB1.304 | RMB26.08 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 827-0493
- 制造商零件编号:
- DMN6070SSD-13
- 制造商:
- DiodesZetex
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | DiodesZetex | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 4.1 A | |
| 最大漏源电压 | 60 V | |
| 最大漏源电阻值 | 100 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 3V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | SOIC | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 隔离式 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 1.5 W | |
| 宽度 | 3.95mm | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 高度 | 1.5mm | |
| 典型关断延迟时间 | 35 ns | |
| 长度 | 4.95mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 尺寸 | 4.95 x 3.95 x 1.5mm | |
| 典型接通延迟时间 | 3.5 ns | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 12.3 nC @ 10 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 588 pF @ 30 V | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 DiodesZetex | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 4.1 A | ||
最大漏源电压 60 V | ||
最大漏源电阻值 100 mΩ | ||
最大栅阈值电压 3V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 SOIC | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 隔离式 | ||
引脚数目 8 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 1.5 W | ||
宽度 3.95mm | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
高度 1.5mm | ||
典型关断延迟时间 35 ns | ||
长度 4.95mm | ||
晶体管材料 Si | ||
尺寸 4.95 x 3.95 x 1.5mm | ||
典型接通延迟时间 3.5 ns | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 12.3 nC @ 10 V | ||
典型输入电容值@Vds 588 pF @ 30 V | ||