DMC1229UFDB-7, 双 N/P沟道 MOSFET 晶体管, 6针 U-DFN2020-6封装
- RS 库存编号:
- 827-0519
- 制造商零件编号:
- DMC1229UFDB-7
- 制造商:
- DiodesZetex
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小计（1 包，共 20 件）*
RMB39.72
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | RMB1.986 | RMB39.72 |
| 100 - 180 | RMB1.735 | RMB34.70 |
| 200 - 480 | RMB1.545 | RMB30.90 |
| 500 - 980 | RMB1.389 | RMB27.78 |
| 1000 + | RMB1.264 | RMB25.28 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 827-0519
- 制造商零件编号:
- DMC1229UFDB-7
- 制造商:
- DiodesZetex
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | DiodesZetex | |
| 通道类型 | N，P | |
| 最大连续漏极电流 | 3 A，7.2 A | |
| 最大漏源电压 | 12 V | |
| 最大漏源电阻值 | 65 mΩ、170 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 1V | |
| 最大栅源电压 | -8 V、+8 V | |
| 封装类型 | U-DFN2020 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 隔离式 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 2.2 W | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型输入电容值@Vds | 914 pF@ 6 V, 915 pF@ -6 V | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 17.9 nC @ 8 V，19.6 nC @ 8 V | |
| 典型关断延迟时间 | 16.6 ns, 27.8 ns | |
| 宽度 | 2.075mm | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 高度 | 0.555mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 尺寸 | 2.075 x 2.075 x 0.555mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 长度 | 2.08mm | |
| 典型接通延迟时间 | 5 ns、5.7 ns | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 DiodesZetex | ||
通道类型 N，P | ||
最大连续漏极电流 3 A，7.2 A | ||
最大漏源电压 12 V | ||
最大漏源电阻值 65 mΩ、170 mΩ | ||
最大栅阈值电压 1V | ||
最大栅源电压 -8 V、+8 V | ||
封装类型 U-DFN2020 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 隔离式 | ||
引脚数目 6 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 2.2 W | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型输入电容值@Vds 914 pF@ 6 V, 915 pF@ -6 V | ||
典型栅极电荷@Vgs 17.9 nC @ 8 V，19.6 nC @ 8 V | ||
典型关断延迟时间 16.6 ns, 27.8 ns | ||
宽度 2.075mm | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
高度 0.555mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
尺寸 2.075 x 2.075 x 0.555mm | ||
晶体管材料 Si | ||
长度 2.08mm | ||
典型接通延迟时间 5 ns、5.7 ns | ||