DMG6402LVT-7 , N沟道 MOSFET 晶体管, 7.5 A, Vds=30 V, 6针 TSOT-26封装
- RS 库存编号:
- 827-0525P
- 制造商零件编号:
- DMG6402LVT-7
- 制造商:
- DiodesZetex
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 250 - 450 | RMB0.804 |
| 500 - 1200 | RMB0.802 |
| 1250 - 2450 | RMB0.604 |
| 2500 + | RMB0.602 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 827-0525P
- 制造商零件编号:
- DMG6402LVT-7
- 制造商:
- DiodesZetex
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | DiodesZetex | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 7.5 | |
| 最大漏源电压 Vd | 30 | |
| 包装类型 | TSOT | |
| 系列 | DMG | |
| 安装类型 | 表面安装 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 | |
| 最大功耗 Pd | 1.75 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 11.4 | |
| 正向电压 Vf | 1 | |
| 最高工作温度 | 150 | |
| 宽度 | 1.6 | |
| 高度 | 0.9 | |
| 长度 | 2.9 | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 DiodesZetex | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 7.5 | ||
最大漏源电压 Vd 30 | ||
包装类型 TSOT | ||
系列 DMG | ||
安装类型 表面安装 | ||
引脚数目 6 | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55 | ||
最大栅源电压 Vgs 20 | ||
最大功耗 Pd 1.75 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 11.4 | ||
正向电压 Vf 1 | ||
最高工作温度 150 | ||
宽度 1.6 | ||
高度 0.9 | ||
长度 2.9 | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||