IRF8513TRPBF, 双 N沟道 MOSFET 晶体管, Vds=30 V, 8针 SO-8封装
- RS 库存编号:
- 827-3906
- 制造商零件编号:
- IRF8513TRPBF
- 制造商:
- International Rectifier
可享批量折扣
小计（1 包，共 20 件）*
RMB72.80
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | RMB3.64 | RMB72.80 |
| 100 - 480 | RMB3.06 | RMB61.20 |
| 500 - 1980 | RMB2.90 | RMB58.00 |
| 2000 - 3980 | RMB2.71 | RMB54.20 |
| 4000 + | RMB2.49 | RMB49.80 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 827-3906
- 制造商零件编号:
- IRF8513TRPBF
- 制造商:
- International Rectifier
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | International Rectifier | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 8 A，11 A | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 最大漏源电阻值 | 16.9 mΩ，22.2 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 2.35V | |
| 最小栅阈值电压 | 1.35V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | SOIC | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 隔离式 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 1.5 W, 2.4 W | |
| 宽度 | 4mm | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 典型关断延迟时间 | 8.8 ns, 9.3 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 8 ns、8.9 ns | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 5.7 nC @ 4.5 V，7.6 nC @ 4.5 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 1024 pF@ 15 V, 766 pF@ 15 V | |
| 长度 | 5mm | |
| 尺寸 | 5 x 4 x 1.5mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 高度 | 1.5mm | |
| 系列 | HEXFET | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 International Rectifier | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 8 A，11 A | ||
最大漏源电压 30 V | ||
最大漏源电阻值 16.9 mΩ，22.2 mΩ | ||
最大栅阈值电压 2.35V | ||
最小栅阈值电压 1.35V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 SOIC | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 隔离式 | ||
引脚数目 8 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 1.5 W, 2.4 W | ||
宽度 4mm | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
典型关断延迟时间 8.8 ns, 9.3 ns | ||
典型接通延迟时间 8 ns、8.9 ns | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 5.7 nC @ 4.5 V，7.6 nC @ 4.5 V | ||
典型输入电容值@Vds 1024 pF@ 15 V, 766 pF@ 15 V | ||
长度 5mm | ||
尺寸 5 x 4 x 1.5mm | ||
晶体管材料 Si | ||
高度 1.5mm | ||
系列 HEXFET | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
- COO (Country of Origin):
- TH