IRF9358TRPBF, 双 P沟道 MOSFET 晶体管, 9.2 A, Vds=-30 V, 8针 SO-8封装
- RS 库存编号:
- 827-3922
- 制造商零件编号:
- IRF9358TRPBF
- 制造商:
- International Rectifier
可享批量折扣
小计（1 包，共 10 件）*
RMB44.00
(不含税)
RMB49.70
(含税)
库存信息目前无法访问 - 请稍候查看
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | RMB4.40 | RMB44.00 |
| 100 - 490 | RMB3.70 | RMB37.00 |
| 500 - 1990 | RMB3.49 | RMB34.90 |
| 2000 - 3990 | RMB3.27 | RMB32.70 |
| 4000 + | RMB3.01 | RMB30.10 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 827-3922
- 制造商零件编号:
- IRF9358TRPBF
- 制造商:
- International Rectifier
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | International Rectifier | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 9.2 A | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 最大漏源电阻值 | 23.8 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 2.4V | |
| 最小栅阈值电压 | 1.3V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | SOIC | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 晶体管配置 | 隔离式 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 2 W | |
| 典型输入电容值@Vds | 1740 pF @ -25 V | |
| 高度 | 1.5mm | |
| 典型关断延迟时间 | 146 ns | |
| 系列 | HEXFET | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 宽度 | 4mm | |
| 典型接通延迟时间 | 5.7 ns | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 19 nC @ 4.5 V，38 nC @ 15 V | |
| 长度 | 5mm | |
| 尺寸 | 5 x 4 x 1.5mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 International Rectifier | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 9.2 A | ||
最大漏源电压 30 V | ||
最大漏源电阻值 23.8 mΩ | ||
最大栅阈值电压 2.4V | ||
最小栅阈值电压 1.3V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 SOIC | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 8 | ||
晶体管配置 隔离式 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 2 W | ||
典型输入电容值@Vds 1740 pF @ -25 V | ||
高度 1.5mm | ||
典型关断延迟时间 146 ns | ||
系列 HEXFET | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
宽度 4mm | ||
典型接通延迟时间 5.7 ns | ||
晶体管材料 Si | ||
典型栅极电荷@Vgs 19 nC @ 4.5 V，38 nC @ 15 V | ||
长度 5mm | ||
尺寸 5 x 4 x 1.5mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
- COO (Country of Origin):
- CN