IRFHS8242TRPBF , N沟道 MOSFET 晶体管, 21 A, Vds=25 V, 6针 PQFN封装
- RS 库存编号:
- 827-3969
- 制造商零件编号:
- IRFHS8242TRPBF
- 制造商:
- International Rectifier
可享批量折扣
小计（1 包，共 50 件）*
RMB80.50
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RMB91.00
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | RMB1.61 | RMB80.50 |
| 100 - 450 | RMB1.244 | RMB62.20 |
| 500 - 1950 | RMB1.22 | RMB61.00 |
| 2000 - 3950 | RMB1.16 | RMB58.00 |
| 4000 + | RMB1.04 | RMB52.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 827-3969
- 制造商零件编号:
- IRFHS8242TRPBF
- 制造商:
- International Rectifier
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | International Rectifier | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 21 A | |
| 最大漏源电压 | 25 V | |
| 最大漏源电阻值 | 21 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 2.35V | |
| 最小栅阈值电压 | 1.35V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | PQFN | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 2.1 W | |
| 宽度 | 2.1mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 10.4 nC @ 10 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 653 pF @ 10 V | |
| 典型接通延迟时间 | 6.5 ns | |
| 高度 | 0.95mm | |
| 系列 | HEXFET | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 2.1mm | |
| 尺寸 | 2.1 x 2.1 x 0.95mm | |
| 典型关断延迟时间 | 5.4 ns | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 International Rectifier | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 21 A | ||
最大漏源电压 25 V | ||
最大漏源电阻值 21 mΩ | ||
最大栅阈值电压 2.35V | ||
最小栅阈值电压 1.35V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 PQFN | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 6 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 2.1 W | ||
宽度 2.1mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 10.4 nC @ 10 V | ||
典型输入电容值@Vds 653 pF @ 10 V | ||
典型接通延迟时间 6.5 ns | ||
高度 0.95mm | ||
系列 HEXFET | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 2.1mm | ||
尺寸 2.1 x 2.1 x 0.95mm | ||
典型关断延迟时间 5.4 ns | ||
晶体管材料 Si | ||
- COO (Country of Origin):
- DE