IRFL024NPBF , N沟道 MOSFET 晶体管, 4 A, Vds=55 V, 3针 SOT-223封装
- RS 库存编号:
- 827-3988
- 制造商零件编号:
- IRFL024NPBF
- 制造商:
- International Rectifier
可享批量折扣
小计（1 包，共 20 件）*
RMB60.40
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RMB68.20
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 20 - 40 | RMB3.02 | RMB60.40 |
| 60 - 80 | RMB2.459 | RMB49.18 |
| 100 - 180 | RMB2.261 | RMB45.22 |
| 200 - 380 | RMB2.118 | RMB42.36 |
| 400 + | RMB1.98 | RMB39.60 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 827-3988
- 制造商零件编号:
- IRFL024NPBF
- 制造商:
- International Rectifier
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | International Rectifier | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 4 A | |
| 最大漏源电压 | 55 V | |
| 最大漏源电阻值 | 75 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 4V | |
| 最小栅阈值电压 | 2V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | SOT-223 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 3+Tab | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 2.1 W | |
| 宽度 | 3.7mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 18.3 nC @ 10 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 400 pF @ 25 V | |
| 典型关断延迟时间 | 22.2 ns | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 长度 | 6.7mm | |
| 典型接通延迟时间 | 8.1 ns | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 系列 | HEXFET | |
| 高度 | 1.8mm | |
| 尺寸 | 6.7 x 3.7 x 1.8mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 International Rectifier | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 4 A | ||
最大漏源电压 55 V | ||
最大漏源电阻值 75 mΩ | ||
最大栅阈值电压 4V | ||
最小栅阈值电压 2V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 SOT-223 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 3+Tab | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 2.1 W | ||
宽度 3.7mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
典型栅极电荷@Vgs 18.3 nC @ 10 V | ||
典型输入电容值@Vds 400 pF @ 25 V | ||
典型关断延迟时间 22.2 ns | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
长度 6.7mm | ||
典型接通延迟时间 8.1 ns | ||
晶体管材料 Si | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
系列 HEXFET | ||
高度 1.8mm | ||
尺寸 6.7 x 3.7 x 1.8mm | ||
- COO (Country of Origin):
- MY