IRFP3415PBF , N沟道 MOSFET 晶体管, 43 A, Vds=150 V, 3针 TO-247AC封装
- RS 库存编号:
- 827-4016
- 制造商零件编号:
- IRFP3415PBF
- 制造商:
- International Rectifier
可享批量折扣
小计（1 包，共 5 件）*
RMB69.85
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RMB78.95
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | RMB13.97 | RMB69.85 |
| 50 - 95 | RMB11.40 | RMB57.00 |
| 100 - 245 | RMB10.10 | RMB50.50 |
| 250 - 495 | RMB9.966 | RMB49.83 |
| 500 + | RMB9.328 | RMB46.64 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 827-4016
- 制造商零件编号:
- IRFP3415PBF
- 制造商:
- International Rectifier
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | International Rectifier | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 43 A | |
| 最大漏源电压 | 150 V | |
| 最大漏源电阻值 | 42 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 4V | |
| 最小栅阈值电压 | 2V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | TO-247AC | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 200 W | |
| 尺寸 | 15.87 x 5.31 x 20.7mm | |
| 典型关断延迟时间 | 71 ns | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型接通延迟时间 | 12 ns | |
| 长度 | 15.87mm | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 200 nC @ 10 V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 5.31mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型输入电容值@Vds | 2400 pF @ 25 V | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 高度 | 20.7mm | |
| 系列 | HEXFET | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 International Rectifier | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 43 A | ||
最大漏源电压 150 V | ||
最大漏源电阻值 42 mΩ | ||
最大栅阈值电压 4V | ||
最小栅阈值电压 2V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 TO-247AC | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 200 W | ||
尺寸 15.87 x 5.31 x 20.7mm | ||
典型关断延迟时间 71 ns | ||
晶体管材料 Si | ||
典型接通延迟时间 12 ns | ||
长度 15.87mm | ||
典型栅极电荷@Vgs 200 nC @ 10 V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 5.31mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型输入电容值@Vds 2400 pF @ 25 V | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
高度 20.7mm | ||
系列 HEXFET | ||
- COO (Country of Origin):
- CN