IRFR6215TRPBF , P沟道 MOSFET 晶体管, 13 A, Vds=-150 V, 3针 TO-252AA封装
- RS 库存编号:
- 827-4076
- 制造商零件编号:
- IRFR6215TRPBF
- 制造商:
- International Rectifier
可享批量折扣
小计（1 包，共 20 件）*
RMB106.92
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RMB120.82
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | RMB5.346 | RMB106.92 |
| 100 - 480 | RMB4.439 | RMB88.78 |
| 500 - 980 | RMB4.103 | RMB82.06 |
| 1000 - 1980 | RMB3.817 | RMB76.34 |
| 2000 + | RMB3.57 | RMB71.40 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 827-4076
- 制造商零件编号:
- IRFR6215TRPBF
- 制造商:
- International Rectifier
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | International Rectifier | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 13 A | |
| 最大漏源电压 | 150 V | |
| 最大漏源电阻值 | 580 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 4V | |
| 最小栅阈值电压 | 2V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | TO-252AA | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 110 W | |
| 宽度 | 6.22mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 66 nC @ 10 V | |
| 典型接通延迟时间 | 14 ns | |
| 典型输入电容值@Vds | 860 pF @ -25 V | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 高度 | 2.39mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 长度 | 6.73mm | |
| 典型关断延迟时间 | 53 ns | |
| 尺寸 | 6.73 x 6.22 x 2.39mm | |
| 系列 | HEXFET | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 International Rectifier | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 13 A | ||
最大漏源电压 150 V | ||
最大漏源电阻值 580 mΩ | ||
最大栅阈值电压 4V | ||
最小栅阈值电压 2V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 TO-252AA | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 110 W | ||
宽度 6.22mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
典型栅极电荷@Vgs 66 nC @ 10 V | ||
典型接通延迟时间 14 ns | ||
典型输入电容值@Vds 860 pF @ -25 V | ||
晶体管材料 Si | ||
高度 2.39mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
长度 6.73mm | ||
典型关断延迟时间 53 ns | ||
尺寸 6.73 x 6.22 x 2.39mm | ||
系列 HEXFET | ||
- COO (Country of Origin):
- CN