IRFTS8342TRPBF , N沟道 MOSFET 晶体管, 8.2 A, Vds=30 V, 6针 TSOP-6封装
- RS 库存编号:
- 827-4127
- 制造商零件编号:
- IRFTS8342TRPBF
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计（1 包，共 50 件）*
RMB82.30
(不含税)
RMB93.00
(含税)
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | RMB1.646 | RMB82.30 |
| 100 - 450 | RMB1.27 | RMB63.50 |
| 500 - 1450 | RMB1.261 | RMB63.05 |
| 1500 - 2950 | RMB1.186 | RMB59.30 |
| 3000 + | RMB0.96 | RMB48.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 827-4127
- 制造商零件编号:
- IRFTS8342TRPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 8.2 | |
| 最大漏源电压 Vd | 30 | |
| 包装类型 | TSOP | |
| 系列 | HEXFET | |
| 安装类型 | 表面安装 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 | |
| 最大功耗 Pd | 2 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 4.8 | |
| 正向电压 Vf | 1 | |
| 最高工作温度 | 150 | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 1.75 | |
| 长度 | 3 | |
| 高度 | 1.3 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 8.2 | ||
最大漏源电压 Vd 30 | ||
包装类型 TSOP | ||
系列 HEXFET | ||
安装类型 表面安装 | ||
引脚数目 6 | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55 | ||
最大栅源电压 Vgs 20 | ||
最大功耗 Pd 2 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 4.8 | ||
正向电压 Vf 1 | ||
最高工作温度 150 | ||
标准/认证 No | ||
宽度 1.75 | ||
长度 3 | ||
高度 1.3 | ||
汽车标准 否 | ||