CSD16301Q2 , N沟道 MOSFET 晶体管, 5 A, Vds=25 V, 6针 SON封装
- RS 库存编号:
- 827-4672
- 制造商零件编号:
- CSD16301Q2
- 制造商:
- Texas Instruments
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | RMB3.86 | RMB38.60 |
| 50 - 90 | RMB3.12 | RMB31.20 |
| 100 - 240 | RMB2.90 | RMB29.00 |
| 250 - 490 | RMB2.51 | RMB25.10 |
| 500 + | RMB2.12 | RMB21.20 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 827-4672
- 制造商零件编号:
- CSD16301Q2
- 制造商:
- Texas Instruments
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Texas Instruments | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 Id | 5 | |
| 最大漏源电压 Vd | 25 | |
| 包装类型 | SON | |
| 系列 | NexFET | |
| 安装类型 | 表面安装 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 2 | |
| 正向电压 Vf | 0.8 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 10 | |
| 最大功耗 Pd | 2.3 | |
| 最高工作温度 | 150 | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 2 | |
| 长度 | 2 | |
| 高度 | 0.8 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Texas Instruments | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N | ||
最大连续漏极电流 Id 5 | ||
最大漏源电压 Vd 25 | ||
包装类型 SON | ||
系列 NexFET | ||
安装类型 表面安装 | ||
引脚数目 6 | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 2 | ||
正向电压 Vf 0.8 | ||
最大栅源电压 Vgs 10 | ||
最大功耗 Pd 2.3 | ||
最高工作温度 150 | ||
标准/认证 No | ||
宽度 2 | ||
长度 2 | ||
高度 0.8 | ||
汽车标准 否 | ||