CSD16322Q5C , N沟道 MOSFET 晶体管, 21 A, Vds=25 V, 8针 SON封装
- RS 库存编号:
- 827-4694
- 制造商零件编号:
- CSD16322Q5C
- 制造商:
- Texas Instruments
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | RMB9.338 | RMB46.69 |
| 50 - 95 | RMB6.898 | RMB34.49 |
| 100 - 245 | RMB6.518 | RMB32.59 |
| 250 - 495 | RMB5.586 | RMB27.93 |
| 500 + | RMB4.94 | RMB24.70 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 827-4694
- 制造商零件编号:
- CSD16322Q5C
- 制造商:
- Texas Instruments
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Texas Instruments | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 21 A | |
| 最大漏源电压 | 25 V | |
| 最大漏源电阻值 | 7.2 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 1.4V | |
| 最小栅阈值电压 | 0.9V | |
| 最大栅源电压 | -8 V，+10 V | |
| 封装类型 | SON | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 3.1 W | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 6.8 nC @ 4.5 V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型关断延迟时间 | 12.3 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 6.1 ns | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 尺寸 | 6.1 x 5.1 x 1.05mm | |
| 典型输入电容值@Vds | 1050 pF @ 12.5 V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 5.1mm | |
| 长度 | 6.1mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 系列 | NexFET | |
| 高度 | 1.05mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Texas Instruments | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 21 A | ||
最大漏源电压 25 V | ||
最大漏源电阻值 7.2 mΩ | ||
最大栅阈值电压 1.4V | ||
最小栅阈值电压 0.9V | ||
最大栅源电压 -8 V，+10 V | ||
封装类型 SON | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 8 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 3.1 W | ||
典型栅极电荷@Vgs 6.8 nC @ 4.5 V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型关断延迟时间 12.3 ns | ||
典型接通延迟时间 6.1 ns | ||
晶体管材料 Si | ||
尺寸 6.1 x 5.1 x 1.05mm | ||
典型输入电容值@Vds 1050 pF @ 12.5 V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 5.1mm | ||
长度 6.1mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
系列 NexFET | ||
高度 1.05mm | ||