CSD17313Q2 , N沟道 MOSFET 晶体管, 5 A, Vds=30 V, 6针 SON封装
- RS 库存编号:
- 827-4849
- 制造商零件编号:
- CSD17313Q2
- 制造商:
- Texas Instruments
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | RMB3.86 | RMB38.60 |
| 50 - 90 | RMB3.12 | RMB31.20 |
| 100 - 240 | RMB2.90 | RMB29.00 |
| 250 - 490 | RMB2.51 | RMB25.10 |
| 500 + | RMB2.12 | RMB21.20 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 827-4849
- 制造商零件编号:
- CSD17313Q2
- 制造商:
- Texas Instruments
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Texas Instruments | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 5 A | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 最大漏源电阻值 | 42 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 1.8V | |
| 最小栅阈值电压 | 0.9V | |
| 最大栅源电压 | -8 V，+10 V | |
| 封装类型 | SON | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 2.3 W | |
| 典型接通延迟时间 | 2.8 ns | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 尺寸 | 2 x 2 x 0.8mm | |
| 长度 | 2mm | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 2.1 nC @ 4.5 V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型关断延迟时间 | 4.2 ns | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 系列 | NexFET | |
| 高度 | 0.8mm | |
| 典型输入电容值@Vds | 260 pF @ 15 V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 2mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Texas Instruments | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 5 A | ||
最大漏源电压 30 V | ||
最大漏源电阻值 42 mΩ | ||
最大栅阈值电压 1.8V | ||
最小栅阈值电压 0.9V | ||
最大栅源电压 -8 V，+10 V | ||
封装类型 SON | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 6 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 2.3 W | ||
典型接通延迟时间 2.8 ns | ||
晶体管材料 Si | ||
尺寸 2 x 2 x 0.8mm | ||
长度 2mm | ||
典型栅极电荷@Vgs 2.1 nC @ 4.5 V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型关断延迟时间 4.2 ns | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
系列 NexFET | ||
高度 0.8mm | ||
典型输入电容值@Vds 260 pF @ 15 V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 2mm | ||