CSD17552Q3A , N沟道 MOSFET 晶体管, 74 A, Vds=30 V, 8针 VSON-EP封装
- RS 库存编号:
- 827-4852
- 制造商零件编号:
- CSD17552Q3A
- 制造商:
- Texas Instruments
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | RMB6.118 | RMB61.18 |
| 50 - 90 | RMB5.111 | RMB51.11 |
| 100 - 240 | RMB4.826 | RMB48.26 |
| 250 - 490 | RMB4.123 | RMB41.23 |
| 500 + | RMB3.639 | RMB36.39 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 827-4852
- 制造商零件编号:
- CSD17552Q3A
- 制造商:
- Texas Instruments
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Texas Instruments | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 74 A | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 最大漏源电阻值 | 8.1 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 1.9V | |
| 最小栅阈值电压 | 1.1V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | VSON | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 2.6 W | |
| 尺寸 | 3.25 x 3.1 x 0.9mm | |
| 长度 | 3.25mm | |
| 宽度 | 3.1mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 系列 | NexFET | |
| 高度 | 0.9mm | |
| 典型关断延迟时间 | 11 ns | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型输入电容值@Vds | 1580 pF @ 15 V | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 9 nC @ 4.5 V | |
| 典型接通延迟时间 | 7.2 ns | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Texas Instruments | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 74 A | ||
最大漏源电压 30 V | ||
最大漏源电阻值 8.1 mΩ | ||
最大栅阈值电压 1.9V | ||
最小栅阈值电压 1.1V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 VSON | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 8 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 2.6 W | ||
尺寸 3.25 x 3.1 x 0.9mm | ||
长度 3.25mm | ||
宽度 3.1mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
系列 NexFET | ||
高度 0.9mm | ||
典型关断延迟时间 11 ns | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型输入电容值@Vds 1580 pF @ 15 V | ||
典型栅极电荷@Vgs 9 nC @ 4.5 V | ||
典型接通延迟时间 7.2 ns | ||
晶体管材料 Si | ||