CSD17510Q5A , N沟道 MOSFET 晶体管, 55 A, Vds=30 V, 8针 SON-EP封装
- RS 库存编号:
- 827-4858
- 制造商零件编号:
- CSD17510Q5A
- 制造商:
- Texas Instruments
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RMB42.40
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | RMB8.48 | RMB42.40 |
| 50 - 95 | RMB6.28 | RMB31.40 |
| 100 - 245 | RMB5.93 | RMB29.65 |
| 250 - 495 | RMB5.06 | RMB25.30 |
| 500 + | RMB4.47 | RMB22.35 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 827-4858
- 制造商零件编号:
- CSD17510Q5A
- 制造商:
- Texas Instruments
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Texas Instruments | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 55 A | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 最大漏源电阻值 | 7.3 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 2.1V | |
| 最小栅阈值电压 | 1V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | SON | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 3 W | |
| 尺寸 | 5.8 x 5 x 1.1mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型接通延迟时间 | 7 ns | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 6.4 nC @ 4.5 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 960 pF @ 15 V | |
| 典型关断延迟时间 | 9 ns | |
| 宽度 | 5mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 高度 | 1.1mm | |
| 系列 | NexFET | |
| 长度 | 5.8mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Texas Instruments | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 55 A | ||
最大漏源电压 30 V | ||
最大漏源电阻值 7.3 mΩ | ||
最大栅阈值电压 2.1V | ||
最小栅阈值电压 1V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 SON | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 8 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 3 W | ||
尺寸 5.8 x 5 x 1.1mm | ||
晶体管材料 Si | ||
典型接通延迟时间 7 ns | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 6.4 nC @ 4.5 V | ||
典型输入电容值@Vds 960 pF @ 15 V | ||
典型关断延迟时间 9 ns | ||
宽度 5mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
高度 1.1mm | ||
系列 NexFET | ||
长度 5.8mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||