CSD18537NKCS , N沟道 MOSFET 晶体管, 54 A, Vds=60 V, 3针 TO-220封装
- RS 库存编号:
- 827-4906
- 制造商零件编号:
- CSD18537NKCS
- 制造商:
- Texas Instruments
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小计（1 包，共 5 件）*
RMB46.80
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | RMB9.36 | RMB46.80 |
| 50 - 95 | RMB6.868 | RMB34.34 |
| 100 - 245 | RMB6.48 | RMB32.40 |
| 250 - 495 | RMB5.562 | RMB27.81 |
| 500 + | RMB4.914 | RMB24.57 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 827-4906
- 制造商零件编号:
- CSD18537NKCS
- 制造商:
- Texas Instruments
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Texas Instruments | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 54 A | |
| 最大漏源电压 | 60 V | |
| 最大漏源电阻值 | 18 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 3.5V | |
| 最小栅阈值电压 | 2.6V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | TO-220 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 79 W | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 14 nC @ 10 V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 典型接通延迟时间 | 4.5 ns | |
| 长度 | 10.67mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 系列 | NexFET | |
| 高度 | 16.51mm | |
| 尺寸 | 10.67 x 4.7 x 16.51mm | |
| 典型输入电容值@Vds | 1140 pF @ 30 V | |
| 宽度 | 4.7mm | |
| 典型关断延迟时间 | 12.6 ns | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Texas Instruments | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 54 A | ||
最大漏源电压 60 V | ||
最大漏源电阻值 18 mΩ | ||
最大栅阈值电压 3.5V | ||
最小栅阈值电压 2.6V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 TO-220 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 79 W | ||
典型栅极电荷@Vgs 14 nC @ 10 V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
典型接通延迟时间 4.5 ns | ||
长度 10.67mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
系列 NexFET | ||
高度 16.51mm | ||
尺寸 10.67 x 4.7 x 16.51mm | ||
典型输入电容值@Vds 1140 pF @ 30 V | ||
宽度 4.7mm | ||
典型关断延迟时间 12.6 ns | ||
晶体管材料 Si | ||