CSD19536KCS , N沟道 MOSFET 晶体管, 259 A, Vds=100 V, 3针 TO-220封装
- RS 库存编号:
- 827-4919P
- 制造商零件编号:
- CSD19536KCS
- 制造商:
- Texas Instruments
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小计 50 件 (按管提供)*
RMB1,705.00
(不含税)
RMB1,926.50
(含税)
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 50 - 98 | RMB34.10 |
| 100 - 248 | RMB31.145 |
| 250 - 498 | RMB28.635 |
| 500 + | RMB25.725 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 827-4919P
- 制造商零件编号:
- CSD19536KCS
- 制造商:
- Texas Instruments
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Texas Instruments | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 259 | |
| 最大漏源电压 Vd | 100 | |
| 包装类型 | TO-220 | |
| 系列 | NexFET | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | -5 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 118 | |
| 最大功耗 Pd | 375 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 | |
| 最低工作温度 | -55 | |
| 最高工作温度 | 175 | |
| 高度 | 16.51 | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 4.7 | |
| 长度 | 10.67 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Texas Instruments | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 259 | ||
最大漏源电压 Vd 100 | ||
包装类型 TO-220 | ||
系列 NexFET | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf -5 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 118 | ||
最大功耗 Pd 375 | ||
最大栅源电压 Vgs 20 | ||
最低工作温度 -55 | ||
最高工作温度 175 | ||
高度 16.51 | ||
标准/认证 No | ||
宽度 4.7 | ||
长度 10.67 | ||
汽车标准 否 | ||