CSD86350Q5D, 双 N沟道 MOSFET 模块, 120 A, Vds=25 V, 8针 SON-EP封装
- RS 库存编号:
- 827-4937
- 制造商零件编号:
- CSD86350Q5D
- 制造商:
- Texas Instruments
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小计（1 包，共 5 件）*
RMB98.88
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | RMB19.776 | RMB98.88 |
| 50 - 95 | RMB14.90 | RMB74.50 |
| 100 - 245 | RMB14.70 | RMB73.50 |
| 250 - 495 | RMB13.10 | RMB65.50 |
| 500 + | RMB11.10 | RMB55.50 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 827-4937
- 制造商零件编号:
- CSD86350Q5D
- 制造商:
- Texas Instruments
产品技术参数
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Texas Instruments | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 120 A | |
| 最大漏源电压 | 25 V | |
| 最大漏源电阻值 | 1.1 mΩ，5 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 2.1V | |
| 最小栅阈值电压 | 0.9V | |
| 最大栅源电压 | +8 V | |
| 封装类型 | SON | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 晶体管配置 | 串行 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功率耗散 | 13 W | |
| 典型输入电容值@Vds | 1440 pF@ 12.5 V，3080 pF@ 12.5 V | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 19.4 nC @ 4.5 V，8.2 nC @ 4.5 V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型接通延迟时间 | 8 ns，9 ns | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 长度 | 6.1mm | |
| 典型关断延迟时间 | 9 ns, 24 ns | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 尺寸 | 6.1 x 5.1 x 1.5mm | |
| 宽度 | 5.1mm | |
| 系列 | NexFET | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 高度 | 1.5mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Texas Instruments | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 120 A | ||
最大漏源电压 25 V | ||
最大漏源电阻值 1.1 mΩ，5 mΩ | ||
最大栅阈值电压 2.1V | ||
最小栅阈值电压 0.9V | ||
最大栅源电压 +8 V | ||
封装类型 SON | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 8 | ||
晶体管配置 串行 | ||
通道模式 增强 | ||
最大功率耗散 13 W | ||
典型输入电容值@Vds 1440 pF@ 12.5 V，3080 pF@ 12.5 V | ||
典型栅极电荷@Vgs 19.4 nC @ 4.5 V，8.2 nC @ 4.5 V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型接通延迟时间 8 ns，9 ns | ||
晶体管材料 Si | ||
长度 6.1mm | ||
典型关断延迟时间 9 ns, 24 ns | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
尺寸 6.1 x 5.1 x 1.5mm | ||
宽度 5.1mm | ||
系列 NexFET | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
高度 1.5mm | ||