CSD87331Q3D, 双 N沟道 MOSFET 模块, 45 A, Vds=30 V, 8针 SON-EP封装
- RS 库存编号:
- 827-4940
- 制造商零件编号:
- CSD87331Q3D
- 制造商:
- Texas Instruments
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小计（1 包，共 5 件）*
RMB55.58
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RMB62.805
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | RMB11.116 | RMB55.58 |
| 50 - 95 | RMB8.198 | RMB40.99 |
| 100 - 245 | RMB7.772 | RMB38.86 |
| 250 - 495 | RMB6.574 | RMB32.87 |
| 500 + | RMB5.842 | RMB29.21 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 827-4940
- 制造商零件编号:
- CSD87331Q3D
- 制造商:
- Texas Instruments
产品技术参数
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Texas Instruments | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 45 A | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 最大漏源电阻值 | 5.5 mΩ，18 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 2.1V | |
| 最小栅阈值电压 | 1V | |
| 最大栅源电压 | +8 V | |
| 封装类型 | SON | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 串行 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功率耗散 | 6 W | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 宽度 | 3.4mm | |
| 典型关断延迟时间 | 7.4 ns, 11.2 ns | |
| 典型输入电容值@Vds | 432 pF@ 15 V，926 pF@ 15 V | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 2.7 nC @ 4.5 V，6.4 nC @ 4.5 V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型接通延迟时间 | 3.4 ns，3.8 ns | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 尺寸 | 3.4 x 3.4 x 1.5mm | |
| 长度 | 3.4mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 系列 | NexFET | |
| 高度 | 1.5mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Texas Instruments | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 45 A | ||
最大漏源电压 30 V | ||
最大漏源电阻值 5.5 mΩ，18 mΩ | ||
最大栅阈值电压 2.1V | ||
最小栅阈值电压 1V | ||
最大栅源电压 +8 V | ||
封装类型 SON | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 串行 | ||
引脚数目 8 | ||
通道模式 增强 | ||
最大功率耗散 6 W | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
宽度 3.4mm | ||
典型关断延迟时间 7.4 ns, 11.2 ns | ||
典型输入电容值@Vds 432 pF@ 15 V，926 pF@ 15 V | ||
典型栅极电荷@Vgs 2.7 nC @ 4.5 V，6.4 nC @ 4.5 V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型接通延迟时间 3.4 ns，3.8 ns | ||
晶体管材料 Si | ||
尺寸 3.4 x 3.4 x 1.5mm | ||
长度 3.4mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
系列 NexFET | ||
高度 1.5mm | ||