IPD088N06N3G , N沟道 MOSFET 晶体管, 50 A, Vds=60 V, 3针 TO-252封装
- RS 库存编号:
- 827-5081
- 制造商零件编号:
- IPD088N06N3G
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计（1 包，共 25 件）*
RMB166.00
(不含税)
RMB187.50
(含税)
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 25 - 75 | RMB6.64 | RMB166.00 |
| 100 - 475 | RMB4.892 | RMB122.30 |
| 500 - 1225 | RMB4.664 | RMB116.60 |
| 1250 - 2475 | RMB3.667 | RMB91.68 |
| 2500 + | RMB3.296 | RMB82.40 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 827-5081
- 制造商零件编号:
- IPD088N06N3G
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 50 A | |
| 最大漏源电压 | 60 V | |
| 最大漏源电阻值 | 8.8 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 4V | |
| 最小栅阈值电压 | 2V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | DPAK (TO-252) | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 71 W | |
| 高度 | 2.41mm | |
| 系列 | OptiMOS 3 | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 长度 | 6.73mm | |
| 尺寸 | 6.73 x 6.22 x 2.41mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型接通延迟时间 | 15 ns | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 36 nC @ 10 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 2900 pF @ 30 V | |
| 典型关断延迟时间 | 20 ns | |
| 宽度 | 6.22mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 50 A | ||
最大漏源电压 60 V | ||
最大漏源电阻值 8.8 mΩ | ||
最大栅阈值电压 4V | ||
最小栅阈值电压 2V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 DPAK (TO-252) | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 71 W | ||
高度 2.41mm | ||
系列 OptiMOS 3 | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
长度 6.73mm | ||
尺寸 6.73 x 6.22 x 2.41mm | ||
晶体管材料 Si | ||
典型接通延迟时间 15 ns | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 36 nC @ 10 V | ||
典型输入电容值@Vds 2900 pF @ 30 V | ||
典型关断延迟时间 20 ns | ||
宽度 6.22mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
不适用