BSO130P03SH , P沟道 MOSFET 晶体管, 11.7 A, Vds=-30 V, 8针 DSO封装
- RS 库存编号:
- 827-5151P
- 制造商零件编号:
- BSO130P03SH
- 制造商:
- Infineon
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小计 100 件 (按连续条带形式提供)*
RMB475.20
(不含税)
RMB537.00
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 100 - 475 | RMB4.752 |
| 500 - 1225 | RMB4.208 |
| 1250 - 2475 | RMB3.568 |
| 2500 + | RMB3.50 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 827-5151P
- 制造商零件编号:
- BSO130P03SH
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 11.7 A | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 最大漏源电阻值 | 13 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 2.6V | |
| 最小栅阈值电压 | 1.4V | |
| 最大栅源电压 | -25 V、+25 V | |
| 封装类型 | DSO | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 小信号 | |
| 最大功率耗散 | 2.36 W | |
| 典型输入电容值@Vds | 2650 pF @ -25 V | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 61 nC @ 10 V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 4mm | |
| 典型接通延迟时间 | 13 ns | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 尺寸 | 5 x 4 x 1.65mm | |
| 长度 | 5mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 系列 | OptiMOS P | |
| 高度 | 1.65mm | |
| 典型关断延迟时间 | 70 ns | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 11.7 A | ||
最大漏源电压 30 V | ||
最大漏源电阻值 13 mΩ | ||
最大栅阈值电压 2.6V | ||
最小栅阈值电压 1.4V | ||
最大栅源电压 -25 V、+25 V | ||
封装类型 DSO | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 8 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 小信号 | ||
最大功率耗散 2.36 W | ||
典型输入电容值@Vds 2650 pF @ -25 V | ||
典型栅极电荷@Vgs 61 nC @ 10 V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 4mm | ||
典型接通延迟时间 13 ns | ||
晶体管材料 Si | ||
尺寸 5 x 4 x 1.65mm | ||
长度 5mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
系列 OptiMOS P | ||
高度 1.65mm | ||
典型关断延迟时间 70 ns | ||