IPB180N06S4H1ATMA2 , N沟道 MOSFET 晶体管, 180 A, Vds=60 V, 7针 TO-263封装
- RS 库存编号:
- 827-5182
- 制造商零件编号:
- IPB180N06S4H1ATMA2
- 制造商:
- Infineon
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RMB171.50
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | RMB17.15 | RMB171.50 |
| 100 - 240 | RMB15.21 | RMB152.10 |
| 250 - 490 | RMB13.65 | RMB136.50 |
| 500 - 990 | RMB12.10 | RMB121.00 |
| 1000 + | RMB9.98 | RMB99.80 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 827-5182
- 制造商零件编号:
- IPB180N06S4H1ATMA2
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 180 A | |
| 最大漏源电压 | 60 V | |
| 最大漏源电阻值 | 1.7 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 4V | |
| 最小栅阈值电压 | 2V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | D2PAK (TO-263) | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 7 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 250 W | |
| 典型输入电容值@Vds | 16840 pF @ 25 V | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 208 nC @ 10 V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 典型接通延迟时间 | 30 ns | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 尺寸 | 10.31 x 9.45 x 4.57mm | |
| 长度 | 10.31mm | |
| 系列 | OptiMOS T2 | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 高度 | 4.57mm | |
| 宽度 | 9.45mm | |
| 典型关断延迟时间 | 60 ns | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 180 A | ||
最大漏源电压 60 V | ||
最大漏源电阻值 1.7 mΩ | ||
最大栅阈值电压 4V | ||
最小栅阈值电压 2V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 D2PAK (TO-263) | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 7 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 250 W | ||
典型输入电容值@Vds 16840 pF @ 25 V | ||
典型栅极电荷@Vgs 208 nC @ 10 V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
典型接通延迟时间 30 ns | ||
晶体管材料 Si | ||
尺寸 10.31 x 9.45 x 4.57mm | ||
长度 10.31mm | ||
系列 OptiMOS T2 | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
高度 4.57mm | ||
宽度 9.45mm | ||
典型关断延迟时间 60 ns | ||