IPD90P04P4L-04 , P沟道 MOSFET 晶体管, 90 A, Vds=-40 V, 3针 TO-252封装
- RS 库存编号:
- 827-5230
- 制造商零件编号:
- IPD90P04P4L-04
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计（1 包，共 20 件）*
RMB180.00
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RMB203.40
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | RMB9.00 | RMB180.00 |
| 100 - 480 | RMB6.64 | RMB132.80 |
| 500 - 1180 | RMB6.33 | RMB126.60 |
| 1200 - 2480 | RMB4.97 | RMB99.40 |
| 2500 + | RMB4.22 | RMB84.40 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 827-5230
- 制造商零件编号:
- IPD90P04P4L-04
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 Id | 90 | |
| 最大漏源电压 Vd | 40 | |
| 包装类型 | DPAK | |
| 系列 | OptiMOS P | |
| 安装类型 | 表面安装 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 16 | |
| 最大功耗 Pd | 125 | |
| 最低工作温度 | -55 | |
| 正向电压 Vf | -1.3 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 135 | |
| 最高工作温度 | 175 | |
| 宽度 | 6.22 | |
| 长度 | 6.73 | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 2.41 | |
| 汽车标准 | AEC | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 P | ||
最大连续漏极电流 Id 90 | ||
最大漏源电压 Vd 40 | ||
包装类型 DPAK | ||
系列 OptiMOS P | ||
安装类型 表面安装 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 16 | ||
最大功耗 Pd 125 | ||
最低工作温度 -55 | ||
正向电压 Vf -1.3 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 135 | ||
最高工作温度 175 | ||
宽度 6.22 | ||
长度 6.73 | ||
标准/认证 No | ||
高度 2.41 | ||
汽车标准 AEC | ||
不适用