BSZ0907NDXTMA1, 双 N沟道 MOSFET 晶体管, Vds=30 V, 8针 WISON封装
- RS 库存编号:
- 827-5233
- 制造商零件编号:
- BSZ0907NDXTMA1
- 制造商:
- Infineon
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RMB111.00
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 25 - 475 | RMB4.44 | RMB111.00 |
| 500 - 975 | RMB2.87 | RMB71.75 |
| 1000 - 2475 | RMB2.336 | RMB58.40 |
| 2500 - 4975 | RMB2.29 | RMB57.25 |
| 5000 + | RMB2.102 | RMB52.55 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 827-5233
- 制造商零件编号:
- BSZ0907NDXTMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 25 A，30 A | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 最大漏源电阻值 | 10 mΩ，13 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 2V | |
| 最小栅阈值电压 | 1.2V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | WISON | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 晶体管配置 | 串行 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 2.3 W | |
| 宽度 | 3.1mm | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 3.1mm | |
| 尺寸 | 3.1 x 3.1 x 0.9mm | |
| 高度 | 0.9mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 系列 | OptiMOS | |
| 典型接通延迟时间 | 6 ns、6.2 ns | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 4.3 nC @ 4.5 V，5.3 nC @ 4.5 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 550 pF@ 15 V, 680 pF@ 15 V | |
| 典型关断延迟时间 | 17.2 ns, 18.5 ns | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 25 A，30 A | ||
最大漏源电压 30 V | ||
最大漏源电阻值 10 mΩ，13 mΩ | ||
最大栅阈值电压 2V | ||
最小栅阈值电压 1.2V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 WISON | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 8 | ||
晶体管配置 串行 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 2.3 W | ||
宽度 3.1mm | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 3.1mm | ||
尺寸 3.1 x 3.1 x 0.9mm | ||
高度 0.9mm | ||
晶体管材料 Si | ||
系列 OptiMOS | ||
典型接通延迟时间 6 ns、6.2 ns | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 4.3 nC @ 4.5 V，5.3 nC @ 4.5 V | ||
典型输入电容值@Vds 550 pF@ 15 V, 680 pF@ 15 V | ||
典型关断延迟时间 17.2 ns, 18.5 ns | ||