BSC110N06NS3G , N沟道 MOSFET 晶体管, 50 A, Vds=60 V, 8针 TDSON-EP封装
- RS 库存编号:
- 827-5303
- 制造商零件编号:
- BSC110N06NS3G
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计（1 包，共 25 件）*
RMB130.25
(不含税)
RMB147.25
(含税)
库存信息目前无法访问 - 请稍候查看
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 25 - 475 | RMB5.21 | RMB130.25 |
| 500 - 975 | RMB3.65 | RMB91.25 |
| 1000 - 2475 | RMB2.87 | RMB71.75 |
| 2500 - 4975 | RMB2.492 | RMB62.30 |
| 5000 + | RMB2.443 | RMB61.08 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 827-5303
- 制造商零件编号:
- BSC110N06NS3G
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 50 A | |
| 最大漏源电压 | 60 V | |
| 最大漏源电阻值 | 11 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 4V | |
| 最小栅阈值电压 | 2V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | TDSON | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 50 W | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 6.1mm | |
| 尺寸 | 6.1 x 5.49 x 1.1mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型接通延迟时间 | 10 ns | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 25 nC @ 10 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 2000 pF @ 30 V | |
| 典型关断延迟时间 | 14 ns | |
| 宽度 | 5.49mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 高度 | 1.1mm | |
| 系列 | OptiMOS 3 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 50 A | ||
最大漏源电压 60 V | ||
最大漏源电阻值 11 mΩ | ||
最大栅阈值电压 4V | ||
最小栅阈值电压 2V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 TDSON | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 8 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 50 W | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 6.1mm | ||
尺寸 6.1 x 5.49 x 1.1mm | ||
晶体管材料 Si | ||
典型接通延迟时间 10 ns | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 25 nC @ 10 V | ||
典型输入电容值@Vds 2000 pF @ 30 V | ||
典型关断延迟时间 14 ns | ||
宽度 5.49mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
高度 1.1mm | ||
系列 OptiMOS 3 | ||