制造商编号

TK100A10N1,S4X(S , N沟道 MOSFET 晶体管, 100 A, Vds=100 V, 3针 TO-220SIS封装

RS 库存编号:: 827-6094
制造商零件编号:: TK100A10N1,S4X(S
制造商:: Toshiba

TK100A10N1,S4X(S , N沟道 MOSFET 晶体管, 100 A, Vds=100 V, 3针 TO-220SIS封装

可享批量折扣

小计（1 包，共 2 件）*

RMB46.94

(不含税)

RMB53.04

另外 24 件在 2026年6月01日发货

**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。

单位	每单位	每包*
2 - 18	RMB23.47	RMB46.94
20 - 38	RMB18.755	RMB37.51
40 - 72	RMB17.05	RMB34.10
74 - 148	RMB15.645	RMB31.29
150 +	RMB13.58	RMB27.16

* 参考价格

RS 库存编号:: 827-6094
制造商零件编号:: TK100A10N1,S4X(S
制造商:: Toshiba

产品技术参数

产品概述和技术数据表

法例与合规

通过选择一个或多个属性来查找类似产品。

选择全部	属性	值
	品牌	Toshiba
	最大连续漏极电流	100 A
	最大漏源电压	100 V
	最大漏源电阻值	3.8 mΩ
	最大栅源电压	±20 V
	封装类型	TO-220SIS
	最大功率耗散	45 W
	典型接通延迟时间	59 ns
	典型栅极电荷@Vgs	140 nC@ 10 V
	典型输入电容值@Vds	8800 pF@ 50 V
	典型关断延迟时间	140 ns
	最高工作温度	+150 °C

	选择全部
	品牌 Toshiba
	最大连续漏极电流 100 A
	最大漏源电压 100 V
	最大漏源电阻值 3.8 mΩ
	最大栅源电压 ±20 V
	封装类型 TO-220SIS
	最大功率耗散 45 W
	典型接通延迟时间 59 ns
	典型栅极电荷@Vgs 140 nC@ 10 V
	典型输入电容值@Vds 8800 pF@ 50 V
	典型关断延迟时间 140 ns
	最高工作温度 +150 °C

COO (Country of Origin):: CN

TK100A10N1,S4X(S , N沟道 MOSFET 晶体管, 100 A, Vds=100 V, 3针 TO-220SIS封装

批量定价选项