TK100A10N1,S4X(S , N沟道 MOSFET 晶体管, 100 A, Vds=100 V, 3针 TO-220SIS封装
- RS 库存编号:
- 827-6094P
- 制造商零件编号:
- TK100A10N1,S4X(S
- 制造商:
- Toshiba
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RMB423.86
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 20 - 38 | RMB18.755 |
| 40 - 72 | RMB17.05 |
| 74 - 148 | RMB15.645 |
| 150 + | RMB13.58 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 827-6094P
- 制造商零件编号:
- TK100A10N1,S4X(S
- 制造商:
- Toshiba
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Toshiba | |
| 最大连续漏极电流 | 100 A | |
| 最大漏源电压 | 100 V | |
| 最大漏源电阻值 | 3.8 mΩ | |
| 最大栅源电压 | ±20 V | |
| 封装类型 | TO-220SIS | |
| 最大功率耗散 | 45 W | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 140 nC@ 10 V | |
| 典型关断延迟时间 | 140 ns | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 典型输入电容值@Vds | 8800 pF@ 50 V | |
| 典型接通延迟时间 | 59 ns | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Toshiba | ||
最大连续漏极电流 100 A | ||
最大漏源电压 100 V | ||
最大漏源电阻值 3.8 mΩ | ||
最大栅源电压 ±20 V | ||
封装类型 TO-220SIS | ||
最大功率耗散 45 W | ||
典型栅极电荷@Vgs 140 nC@ 10 V | ||
典型关断延迟时间 140 ns | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
典型输入电容值@Vds 8800 pF@ 50 V | ||
典型接通延迟时间 59 ns | ||
- COO (Country of Origin):
- CN