TK12E60W,S1VX(S , N沟道 MOSFET 晶体管, 11.5 A, Vds=600 V, 3针 TO-220封装
- RS 库存编号:
- 827-6113P
- 制造商零件编号:
- TK12E60W,S1VX(S
- 制造商:
- Toshiba
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RMB271.425
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 25 - 45 | RMB9.608 |
| 50 - 120 | RMB8.746 |
| 125 - 245 | RMB8.024 |
| 250 + | RMB6.928 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 827-6113P
- 制造商零件编号:
- TK12E60W,S1VX(S
- 制造商:
- Toshiba
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Toshiba | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 11.5 A | |
| 最大漏源电压 | 600 V | |
| 最大漏源电阻值 | 300 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 3.7V | |
| 最大栅源电压 | -30 V、+30 V | |
| 封装类型 | TO-220 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 110 W | |
| 宽度 | 4.45mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 25 nC @ 10 V | |
| 典型接通延迟时间 | 45 ns | |
| 典型输入电容值@Vds | 890 pF @ 300 V | |
| 典型关断延迟时间 | 85 ns | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 10.16mm | |
| 尺寸 | 10.16 x 4.45 x 15.1mm | |
| 系列 | TK | |
| 高度 | 15.1mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Toshiba | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 11.5 A | ||
最大漏源电压 600 V | ||
最大漏源电阻值 300 mΩ | ||
最大栅阈值电压 3.7V | ||
最大栅源电压 -30 V、+30 V | ||
封装类型 TO-220 | ||
安装类型 通孔 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 110 W | ||
宽度 4.45mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
晶体管材料 Si | ||
典型栅极电荷@Vgs 25 nC @ 10 V | ||
典型接通延迟时间 45 ns | ||
典型输入电容值@Vds 890 pF @ 300 V | ||
典型关断延迟时间 85 ns | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 10.16mm | ||
尺寸 10.16 x 4.45 x 15.1mm | ||
系列 TK | ||
高度 15.1mm | ||
- COO (Country of Origin):
- CN