TK12P60W,RVQ(S , N沟道 MOSFET 晶体管, 11.5 A, Vds=600 V, 3针 DPAK封装
- RS 库存编号:
- 827-6126
- 制造商零件编号:
- TK12P60W,RVQ(S
- 制造商:
- Toshiba
可享批量折扣
小计（1 包，共 4 件）*
RMB44.14
(不含税)
RMB49.88
(含税)
有限的库存
- 另外 120 件在 2026年6月01日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 4 - 116 | RMB11.035 | RMB44.14 |
| 120 - 244 | RMB8.83 | RMB35.32 |
| 248 - 496 | RMB8.025 | RMB32.10 |
| 500 - 996 | RMB7.35 | RMB29.40 |
| 1000 + | RMB6.375 | RMB25.50 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 827-6126
- 制造商零件编号:
- TK12P60W,RVQ(S
- 制造商:
- Toshiba
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Toshiba | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 Id | 11.5 | |
| 最大漏源电压 Vd | 600 | |
| 包装类型 | DPAK | |
| 系列 | DTMOSIV | |
| 安装类型 | 表面安装 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | -1.7 | |
| 最低工作温度 | -55 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 25 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 30 | |
| 最大功耗 Pd | 100 | |
| 最高工作温度 | 150 | |
| 宽度 | 6.1 | |
| 高度 | 2.3 | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 6.6 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Toshiba | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N | ||
最大连续漏极电流 Id 11.5 | ||
最大漏源电压 Vd 600 | ||
包装类型 DPAK | ||
系列 DTMOSIV | ||
安装类型 表面安装 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf -1.7 | ||
最低工作温度 -55 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 25 | ||
最大栅源电压 Vgs 30 | ||
最大功耗 Pd 100 | ||
最高工作温度 150 | ||
宽度 6.1 | ||
高度 2.3 | ||
标准/认证 No | ||
长度 6.6 | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN