TK14E65W,S1X(S , N沟道 MOSFET 晶体管, 13.7 A, Vds=650 V, 3针 TO-220封装
- RS 库存编号:
- 827-6132
- 制造商零件编号:
- TK14E65W,S1X(S
- 制造商:
- Toshiba
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 3 - 12 | RMB19.223 | RMB57.67 |
| 15 - 27 | RMB15.38 | RMB46.14 |
| 30 - 72 | RMB14.01 | RMB42.03 |
| 75 - 147 | RMB12.84 | RMB38.52 |
| 150 + | RMB11.087 | RMB33.26 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 827-6132
- 制造商零件编号:
- TK14E65W,S1X(S
- 制造商:
- Toshiba
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Toshiba | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 13.7 A | |
| 最大漏源电压 | 650 V | |
| 最大漏源电阻值 | 250 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 3.5V | |
| 最大栅源电压 | -30 V、+30 V | |
| 封装类型 | TO-220 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 130 W | |
| 宽度 | 4.45mm | |
| 典型关断延迟时间 | 110 ns | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 35 nC @ 10 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 1300 pF @ 300 V | |
| 高度 | 15.1mm | |
| 典型接通延迟时间 | 60 ns | |
| 系列 | TK | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 10.16mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 尺寸 | 10.16 x 4.45 x 15.1mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Toshiba | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 13.7 A | ||
最大漏源电压 650 V | ||
最大漏源电阻值 250 mΩ | ||
最大栅阈值电压 3.5V | ||
最大栅源电压 -30 V、+30 V | ||
封装类型 TO-220 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 130 W | ||
宽度 4.45mm | ||
典型关断延迟时间 110 ns | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
典型栅极电荷@Vgs 35 nC @ 10 V | ||
典型输入电容值@Vds 1300 pF @ 300 V | ||
高度 15.1mm | ||
典型接通延迟时间 60 ns | ||
系列 TK | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 10.16mm | ||
晶体管材料 Si | ||
尺寸 10.16 x 4.45 x 15.1mm | ||
- COO (Country of Origin):
- CN